大多數(shù)的半導(dǎo)體器件都是靜電敏感器件，在生產(chǎn)過(guò)程中靜電的產(chǎn)生是無(wú)處不在的，因此必須做好對(duì)靜電防護(hù)的重視。另外，廠商還應(yīng)建立防靜電系統(tǒng)的周期側(cè)試和監(jiān)控制度，保證防靜電設(shè)施起到有效的防護(hù)作用，避免和減少器件在生產(chǎn)過(guò)程中的靜電損傷。
半導(dǎo)體技術(shù)日益發(fā)展的今天，也出現(xiàn)了諸多問(wèn)題其中表電就是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。如互連導(dǎo)線寬度與間距越來(lái)越小，而集成電路的密度越來(lái)越高，而器件的耐靜電擊穿電壓也越來(lái)越低。靜電防護(hù)在生產(chǎn)中對(duì)設(shè)備的影響還是很大的，生產(chǎn)廠必須全面的防護(hù)靜電體系。
1.靜電危害
1.1靜電吸附
器件在生廠過(guò)程中，由于大量使用了石英及高分子物質(zhì)制成器具材料，其絕緣度是相當(dāng)高的，在使用的過(guò)程中一些摩擦?xí)斐呻姾刹粩喾e聚，電位高高。能過(guò)靜電的力學(xué)效應(yīng)，工作場(chǎng)所的浮游塵埃很容易吸附在芯片的表面，進(jìn)而改變了線條間阻抗，影響到半導(dǎo)體器件的功能與壽命。
1.2靜電放電(ESD)擊穿
電擊穿是由靜電放電引起的主要危害，主要有表面擊穿、介質(zhì)擊穿、熱二次擊穿、金屬鍍層熔融、體擊穿、氣弧放電等，嚴(yán)重的可能造成器件硬擊穿或軟擊穿。
2.靜電損傷
2.1累積性及潛在性
一些電子元器件在受到靜電損傷后，性能沒(méi)有明顯的下降，然而多次累加后形成了損傷。
2.2隱蔽性
靜電還具有隱蔽性，除非發(fā)生靜電放電，人體不能直接感知靜電，而且發(fā)生靜電放電人體也不一定能有電擊的感覺(jué)，這是因?yàn)槿梭w感知的靜電放電電壓為2-3 kV。
2.3復(fù)雜性
靜電損傷引起的失效，需使用掃描電鏡等高精密儀器發(fā)現(xiàn)。即便這樣，有些靜電損傷現(xiàn)象也難以與其他原因造成的損傷加以區(qū)別，使人誤把靜電損傷失效當(dāng)作其他失效。
2.4隨機(jī)性
每一個(gè)元器件從生產(chǎn)一直到損壞以前，所有的過(guò)程都有可能受到靜電威脅，而這些靜電產(chǎn)生是隨機(jī)性的。
廠商要對(duì)器件采取防靜電設(shè)計(jì)，在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)靜電采取屏蔽、泄漏及中和等操作，可采取靜電接地、穿防靜電服、使用防靜電臺(tái)面、工具、地面及周轉(zhuǎn)箱、防靜電包裝袋等措施，從而建立起一個(gè)完整的靜電防護(hù)體系。
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